企业简介
神州利德照明有限公司致力于把LED应用于普通照明、便携式照明、医用光动力治疗照明、车用照明、电视机背光模组等。我们的营销咨询服务、技术设计、产品定制、即时服务.以及遍布全球的库存能满足您所有的需要，能为您提供全新独特的服务，助您在市场上取胜。LED照明产品将会很快取代传统照明在很多商业、工业、公共机构和大众消费品中的使用。神州利德照明有限公司的LED应用方案为各类照明应用所带来的优越价值使我们在快速上升、赢利丰厚的市场中处于的位置。我们耐用节能的产品同时能减少能源消耗和废物的产生，有利于环境保护。
海立尔股份有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 10015712 |  |
HV BULB | 2011-09-28 | 发光二极管；发光二极管指示灯；发光二极管显示器；晶片(锗片)；半导体；集成电路 | 查看详情 |
| 2 | 6336480 |  |
HELIO | 2007-10-23 | 灯箱;电子布告板;航行用信号装置;霓虹灯;闪光灯(信号灯);电子信号发射机;半导体器件;发光二极管;晶片(锗片);太阳能电池; | 查看详情 |
| 3 | 9838034 |  |
HELIOPTO | 2011-08-12 | 晶片(锗片)；半导体；集成电路；发光二极管；光电管 | 查看详情 |
| 4 | 9838015 |  |
HELIO | 2011-08-12 | 晶片(锗片);半导体;集成电路;发光二极管;光电管; | 查看详情 |
海立尔股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW200935618 | 可提升出光效率之发光二极体座体结构 | 2009.08.16 | 本发明系为一种可提升出光效率之发光二极体座体结构，其为具有承载部之本体，而承载部系形成有第一表面、第 |
| 2 | TW200814357 | 插件式/具散热件/热电分离式之发光二极体灯泡结构 | 2008.03.16 | 本发明为一种插件式/具散热件/热电分离式之发光二极体灯泡结构，其中插件式包括：第一导电接脚；第二导电 |
| 3 | TW200814358 | 发光二极体结构 | 2008.03.16 | 本发明为一种发光二极体结构，其包括：第一基材；黏着层，形成于第一基材上；第一欧姆连接层，形成于黏着层 |
| 4 | CN101144592A | 插件式、具有散热件、热电分离式的发光二极管灯泡结构 | 2008.03.19 | 本发明是有关于一种插件式、具有散热件、热电分离式的发光二极管灯泡结构，其中插件式包括：第一导电接脚； |
| 5 | CN101645452A | 交流发光二极管结构 | 2010.02.10 | 本发明是关于一种交流发光二极管结构，其包括：绝缘基板；发光二极管组；第一金属层；以及第二金属层。发光 |
| 6 | CN100544014C | 发光二极管结构 | 2009.09.23 | 本发明是有关于一种发光二极管结构，其包括：第一基板；粘着层，形成于第一基板上；第一欧姆连接层，形成于 |
| 7 | CN101145570A | 发光二极管结构 | 2008.03.19 | 本发明是有关于一种发光二极管结构，其包括：第一基材；粘着层，形成于第一基材上；第一欧姆连接层，形成于 |
| 8 | CN101118920A | 具多段临界电压的高压发光二极管电路及其二极管发光装置 | 2008.02.06 | 本发明是有关于一种具多段临界电压的高压发光二极管电路及其二极管发光装置，尤其是一种具阻抗元件的高压发 |
| 9 | CN203743901U | 产生矩形光形的光源结构及其透镜结构 | 2014.07.30 | 本实用新型是有关一种产生矩形光形的光源结构及其透镜结构，其中产生矩形光形的光源结构包括透镜本体及光源 |
| 10 | CN103915530A | 高压覆晶LED结构及其制造方法 | 2014.07.09 | 本发明是有关于一种高压覆晶LED结构及其制造方法，其中制造方法包括下列步骤：提供芯片基板；沉积第一钝 |
| 11 | TW201426969 | 高压覆晶ＬＥＤ结构及其制造方法;HIGH VOLTAGE FLIP CHIP LED STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | 2014.07.01 | 本发明系为一种高压覆晶LED结构及其制造方法，其中制造方法包括下列步骤：提供一晶片基板；沉积一第一钝 |
| 12 | CN103634974A | 具暗区填补的LED驱动电路结构 | 2014.03.12 | 发明为一种具暗区填补的LED驱动电路结构，其包括一整流单元，一暗区填补单元，及一LED多阶电压恒流驱 |
| 13 | CN203215311U | 具有散热单元的高亮度发光二极管灯具结构 | 2013.09.25 | 本实用新型是有关于一种具有散热单元的高亮度发光二极管灯具结构，其包括：一个反射杯；一个COB单元；一 |
| 14 | CN103137643A | 高电压交流发光二极管结构 | 2013.06.05 | 本发明为一种高电压交流发光二极管结构，其包括：电路基板；以及多个高压LED芯片。高压LED芯片包括： |
| 15 | CN103137644A | 高压交流发光二极管结构 | 2013.06.05 | 本发明是有关于一种高压交流发光二极管结构，其包括：电路基板；以及多个交流LED芯片。交流LED芯片包 |
| 16 | CN103107247A | LED芯片的制造方法及其结构 | 2013.05.15 | 本发明是有关于一种LED芯片的制造方法及其结构。其中该方法包括下列步骤：提供一导电块材；提供一磊晶块 |
| 17 | CN202834995U | 可挠式背光模块结构 | 2013.03.27 | 本实用新型是有关于一种可挠式背光模块结构，其包括：光源模块以及可挠式导光板。其中可挠式导光板具有入光 |
| 18 | TWI377702 | 无光晕之发光二极体座体结构 | 2012.11.21 | 本发明系为一种无光晕之发光二极体座体结构，其包括本体；以及隔离部。本体具有晶粒槽，且晶粒槽系具有第一 |
| 19 | TWM441221 | 热电分离式之发光二极体灯泡结构 | 2012.11.11 | 本创作为一种热电分离式之发光二极体灯泡结构，其包括：第一导电接脚；第二导电接脚；导热接脚，其端部设有 |
| 20 | TWI373857 | 可提升出光效率之发光二极体座体结构 | 2012.10.01 | 本发明系为一种可提升出光效率之发光二极体座体结构，其为具有承载部之本体，而承载部系形成有第一表面、第 |
| 21 | CN202455464U | 具有炮弹型透镜LED的监视器及其光源模组 | 2012.09.26 | 本实用新型是有关于一种具有炮弹型透镜LED的监视器及其光源模组，其包括：一壳体、一本体以及一炮弹型透 |
| 22 | CN202403035U | 热电分离式的发光二极管灯泡结构 | 2012.08.29 | 本实用新型是有关于一种热电分离式的发光二极管灯泡结构，其包括：第一导电接脚；第二导电接脚；导热接脚， |
| 23 | CN202374534U | 具有过载保护单元的交流发光二极管结构 | 2012.08.08 | 本实用新型是有关一种具有过载保护单元的交流发光二极管结构，其包括：交流发光二极管；散热单元；以及过载 |
| 24 | CN202349690U | 紫外光LED指甲灯结构及其LED光源模块 | 2012.07.25 | 本实用新型是有关于一种低发光角度高照度的紫外光LED指甲灯结构及其LED光源模块。低发光角度高照度的 |
| 25 | CN202349654U | 高照度紫外光的LED指甲灯结构及其LED光源模块 | 2012.07.25 | 本实用新型是有关于一种高照度紫外光的LED指甲灯结构及其LED光源模块，该高照度紫外光的LED指甲灯 |
| 26 | CN101713521B | 交流发光二极管结构 | 2012.05.30 | 本发明是有关一种交流发光二极管结构。该交流发光二极管结构，包括：一基座，具有晶片座；一晶片组，设于晶 |
| 27 | CN101515612B | 可提升出光效率的发光二极管座体结构 | 2012.02.08 | 本发明是有关于一种可提升出光效率的发光二极管座体结构，其为具有承载部的本体，而承载部是形成有第一表面 |
| 28 | CN101645452B | 交流发光二极管结构 | 2011.11.16 | 本发明是关于一种交流发光二极管结构，其包括：绝缘基板；发光二极管组；第一金属层；以及第二金属层。发光 |
| 29 | CN101651125B | 具有埋入式电容的发光二极管座体结构 | 2011.07.06 | 本发明是有关于一种具有埋入式电容的发光二极管座体结构：其包括：本体；至少一对金属层；至少一介电层；以 |
| 30 | CN101685795B | 轴对称发光二极管的制造方法 | 2011.07.06 | 本发明是有关于一种轴对称发光二极管的制造方法，其包括下列步骤：提供基板；以及形成多数个发光区域。基板 |
| 31 | CN101494259B | 无光晕的发光二极管座体结构 | 2011.03.16 | 本发明是有关一种无光晕的发光二极管座体结构，其包括本体以及隔离部。该本体具有晶粒槽，且晶粒槽具有底面 |
| 32 | CN101894832A | 用以产生白光的发光二极管结构 | 2010.11.24 | 本发明是有关于一种用以产生白光的发光二极管结构，其包括：基座；第一蓝光晶片；第二蓝光晶片；第三蓝光晶 |
| 33 | CN101399304B | 具有多层光学透镜的发光二极管的制造方法及其结构 | 2010.10.27 | 本发明是有关于一种具有多层光学透镜的发光二极管的制造方法及其结构。该具有多层光学透镜的发光二极管的制 |
| 34 | CN101858498A | 具有过载保护的交流发光二极管结构 | 2010.10.13 | 本发明是有关一种具有过载保护的交流发光二极管结构，其包括：交流发光二极管；散热单元；以及过载保护单元 |
| 35 | CN101118920B | 次粘着基台式及具有阻抗元件的高压发光二极管晶片 | 2010.07.21 | 本发明是有关于一种具有多段临界电压的高压发光二极管电路及其二极管发光装置，尤其是一种具有阻抗元件的高 |
| 36 | CN101713521A | 交流发光二极管结构 | 2010.05.26 | 本发明是有关一种交流发光二极管结构。该交流发光二极管结构，包括：一基座，具有晶片座；一晶片组，设于晶 |
| 37 | CN101685814A | 单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法 | 2010.03.31 | 本发明是关于一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其包括下列步骤：设定第一同心圆；以及排列至 |
| 38 | CN101685795A | 轴对称发光二极管的制造方法 | 2010.03.31 | 本发明是有关于一种轴对称发光二极管的制造方法，其包括下列步骤：提供基板；以及形成多数个发光区域。基板 |
| 39 | CN101651125A | 具有埋入式电容的发光二极管座体结构 | 2010.02.17 | 本发明是有关于一种具有埋入式电容的发光二极管座体结构：其包括：本体；至少一对金属层；至少一介电层；以 |
| 40 | CN101620338A | 可挠式背光模组结构 | 2010.01.06 | 本发明是有关一种可挠式背光模组结构，其包括：光源模组以及可挠式导光板。其中可挠式导光板具有入光面、反 |
| 41 | TWI316771 | 具散热件之发光二极体灯泡结构 | 2009.11.01 | 本发明为一种具散热件之发光二极体灯泡结构，其包括：第一导电接脚；第二导电接脚，其端部设有晶粒座；发光 |
| 42 | CN101562926A | 并联桥式及高压并联桥式电路结构 | 2009.10.21 | 本发明是有关于一种并联桥式及高压并联桥式电路结构，其中并联桥式电路结构是包括：第一桥式电路；以及第二 |
| 43 | CN101515612A | 可提升出光效率的发光二极管座体结构 | 2009.08.26 | 本发明是有关于一种可提升出光效率的发光二极管座体结构，其为具有承载部的本体，而承载部是形成有第一表面 |
| 44 | TW200933920 | 无光晕之发光二极体座体结构 | 2009.08.01 | 本发明系为一种无光晕之发光二极体座体结构，其包括本体；以及隔离部。本体具有晶粒槽，且晶粒槽系具有第一 |
| 45 | CN101494259A | 无光晕的发光二极管座体结构 | 2009.07.29 | 本发明是有关一种无光晕的发光二极管座体结构，其包括本体以及隔离部。该本体具有晶粒槽，且晶粒槽具有第一 |
| 46 | TW200915599 | 具多层光学透镜之发光二极体制造方法及其结构 | 2009.04.01 | 本发明为一种具多层光学透镜之发光二极体制造方法及其结构，其中具多层光学透镜之发光二极体之制造方法系包 |
| 47 | CN101399304A | 具有多层光学透镜的发光二极管的制造方法及其结构 | 2009.04.01 | 本发明是有关于一种具有多层光学透镜的发光二极管的制造方法及其结构。该具有多层光学透镜的发光二极管的制 |
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